Siliciumcarbid er et tredje generations halvledermateriale med fremragende ydeevne

Siliciumcarbid er et tredje generations halvledermateriale med fremragende ydeevne. Det har karakteristika for god optisk ydeevne, høj kemisk inertitet og fremragende fysiske egenskaber. rumfart mv. Især i den nye energikøretøjsindustri forventes det, at Kinas årlige produktion af nye energikøretøjer vil være næsten 6 millioner i 2025, og efterspørgslen efter strømchips vil være 1.000-2.000 pr. køretøj, hvoraf mere end 50% vil være silicium karbidspåner.