Mitsubishi Electric သည် Gallium oxide wafer နည်းပညာကို ဖန်တီးရန်အတွက် Novel Crystal Technology တွင် ရင်းနှီးမြှုပ်နှံထားသည်။

Mitsubishi Electric သည် ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအတွက် ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ်နှင့် epitaxial wafers များထုတ်လုပ်သည့် Novel Crystal Technology တွင် ၎င်း၏ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကို ကြေညာခဲ့သည်။ ဤရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုမှတစ်ဆင့် Mitsubishi Electric ၏ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဒီဇိုင်းနှင့် ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာကို NCT ၏ ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ် wafer နည်းပညာဖြင့် ကုမ္ပဏီ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်နယ်ပယ်တွင် ပိုမိုမြှင့်တင်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။