C&K Semiconductor hat erfolgreich die Massenproduktion von 8-Zoll-SiC-Epitaxiewafern erreicht

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. gab bekannt, dass sein Forschungs- und Entwicklungsteam erfolgreich ein homoepitaktisches Wachstum auf einem heimischen 8-Zoll (200 mm) Siliziumkarbid-Substrat (SiC) erzielt hat und über Massenproduktionskapazitäten für 8-Zoll-SiC-Epitaxiewafer verfügt. Die Qualität der vom Unternehmen hergestellten 8-Zoll-SiC-Epitaxiewafer hat das internationale Spitzenniveau erreicht, und die Ausbeute an 3 mm x 3 mm-Chips hat mehr als 97 % erreicht.