C&K Semiconductor saavutti menestyksekkäästi 8 tuuman SiC-epitaksiaalisten kiekkojen massatuotannon

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. ilmoitti, että sen T&K-tiimi on onnistunut saavuttamaan homoepitaksiaalisen kasvun kotimaisella 8 tuuman (200 mm) piikarbidi (SiC) substraatilla ja sillä on massatuotantokapasiteettia 8 tuuman piikarbidikiekkoja varten. Yrityksen valmistamien 8 tuuman SiC-epitaksiaalisten kiekkojen laatu on saavuttanut kansainvälisen edistyneen tason, ja 3 mm * 3 mm:n stanssaus on saavuttanut yli 97%.