C&K Semiconductor logró con éxito la producción en masa de obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. anunció que su equipo de I+D ha logrado con éxito un crecimiento homoepitaxial en un sustrato doméstico de carburo de silicio (SiC) de 8 pulgadas (200 mm) y tiene capacidades de producción en masa de obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas. La calidad de las obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas producidas por la empresa ha alcanzado el nivel avanzado internacional y el rendimiento del troquel de 3 mm*3 mm ha alcanzado más del 97 %.