Компания C&K Semiconductor успешно начала массовое производство 8-дюймовых эпитаксиальных пластин SiC.

Компания C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. объявила, что ее научно-исследовательская группа успешно добилась гомоэпитаксиального выращивания на отечественной подложке из карбида кремния (SiC) толщиной 8 дюймов (200 мм) и имеет возможности массового производства 8-дюймовых эпитаксиальных пластин SiC. Качество 8-дюймовых эпитаксиальных пластин SiC, производимых компанией, достигло передового международного уровня, а выход матрицы размером 3 мм * 3 мм достиг более 97%.