C&K Semiconductor uspješno je postigao masovnu proizvodnju 8-inčnih SiC epitaksijalnih pločica

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. objavio je da je njegov tim za istraživanje i razvoj uspješno postigao homoepitaksijalni rast na domaćem 8-inčnom (200 mm) supstratu od silicij karbida (SiC) i ima mogućnosti masovne proizvodnje za 8-inčne SiC epitaksijalne pločice. Kvaliteta 8-inčnih SiC epitaksijalnih ploča koje proizvodi tvrtka dosegla je međunarodnu naprednu razinu, a iskorištenje matrice od 3mm*3mm doseglo je više od 97%.