C&K Semiconductor သည် 8 လက်မအရွယ် SiC epitaxial wafers များကို အမြောက်အမြားထုတ်လုပ်နိုင်ခဲ့သည်။

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. သည် ၎င်း၏ R&D အဖွဲ့သည် ပြည်တွင်း 8 လက်မ (200mm) silicon carbide (SiC) အလွှာတွင် homoepitaxial ကြီးထွားမှုကို အောင်မြင်စွာ ရရှိပြီး 8 လက်မ SiC epitaxial wafers အတွက် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှု စွမ်းရည်ရှိကြောင်း C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. ကုမ္ပဏီမှထုတ်လုပ်သော 8 လက်မအရွယ် SiC epitaxial wafers များ၏အရည်အသွေးသည် နိုင်ငံတကာအဆင့်မြင့်အဆင့်သို့ရောက်ရှိသွားကာ 3mm*3mm အသေအထွက်နှုန်းသည် 97% ကျော်အထိရောက်ရှိခဲ့သည်။