C&K Semiconductor ประสบความสำเร็จในการผลิตเวเฟอร์ SiC epitaxis ขนาด 8 นิ้วจำนวนมาก

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. ประกาศว่าทีมวิจัยและพัฒนาของบริษัทประสบความสำเร็จในการเติบโตแบบโฮโมอีพิแทกเซียลบนซับสเตรตซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ขนาด 8 นิ้ว (200 มม.) ในประเทศ และมีความสามารถในการผลิตจำนวนมากสำหรับเวเฟอร์ SiC epitaxis ขนาด 8 นิ้ว คุณภาพของเวเฟอร์ SiC epitaxis ขนาด 8 นิ้วที่ผลิตโดยบริษัทได้ก้าวไปถึงระดับสากลแล้ว และอัตราผลตอบแทนของแม่พิมพ์ขนาด 3 มม.* 3 มม. ก็สูงถึงมากกว่า 97%