C&K Semiconductor berhasil mencapai produksi massal wafer epitaksi SiC 8 inci

mengumumkan bahwa tim Litbangnya telah berhasil mencapai pertumbuhan homoepitaksial pada substrat silikon karbida (SiC) 8 inci (200 mm) domestik dan memiliki kemampuan produksi massal untuk wafer epitaksi SiC 8 inci. Kualitas wafer epitaksi SiC 8 inci yang diproduksi oleh perusahaan telah mencapai tingkat mahir internasional, dan hasil cetakan 3mm*3mm telah mencapai lebih dari 97%.