C&K Semiconductor-მა წარმატებით მიაღწია 8 დიუმიანი SiC ეპიტაქსიალური ვაფლის მასობრივ წარმოებას

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd.-მ გამოაცხადა, რომ მისმა R&D გუნდმა წარმატებით მიაღწია ჰომეპიტაქსიურ ზრდას შიდა 8 დიუმიან (200 მმ) სილიციუმის კარბიდის (SiC) სუბსტრატზე და აქვს მასობრივი წარმოების შესაძლებლობები 8 დიუმიანი SiC ეპიტაქსიალური ვაფლებისთვის. კომპანიის მიერ წარმოებული 8 დიუმიანი SiC ეპიტაქსიალური ვაფლების ხარისხმა მიაღწია საერთაშორისო მოწინავე დონეს, ხოლო 3 მმ * 3 მმ საყრდენის გამოსავლიანობა 97%-ზე მეტს მიაღწია.