C&K Semiconductor ohupyty porã producción masiva umi oblea epitaxial SiC 8 pulgadas rehegua

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. oikuaauka equipo I+D orekóva ohupyty porã crecimiento homoepitaxial peteî sustrato nacional carburo de silicio (SiC) 8 pulgadas (200mm) ha orekóva capacidad producción masiva umi oblea epitaxial SiC 8 pulgadas. Calidad umi oblea epitaxial SiC 8 pulgadas omoheñóiva empresa oguahë nivel avanzado internacional, ha rendimiento troquel 3mm * 3mm oguahë hetave 97%.