Hantian Tiancheng hat die Entwicklung der 8-Zoll-Siliziumkarbid-Epitaxie-Prozesstechnologie abgeschlossen

Hantian Tiancheng Electronic Technology (Xiamen) Co., Ltd. gab bekannt, dass sein Forschungs- und Entwicklungsteam die technologische Entwicklung eines 8-Zoll-Siliziumkarbid-Epitaxieverfahrens mit unabhängigen geistigen Eigentumsrechten abgeschlossen hat und über die Massenproduktionskapazität für inländische 8-Zoll-Siliziumkarbid-Epitaxie verfügt Waffeln. Die von Hantian Tiancheng hergestellten 8-Zoll-Siliziumkarbid-Epitaxiewafer schneiden hinsichtlich der technischen Indikatoren gut ab und die 2 mm x 2 mm-Chipausbeute erreicht mehr als 98 %.