Hantian Tiancheng fullførte utviklingen av 8-tommers silisiumkarbid epitaksial prosessteknologi

Hantian Tiancheng Electronic Technology (Xiamen) Co., Ltd. kunngjorde at FoU-teamet har fullført den tekniske utviklingen av en 8-tommers silisiumkarbid-epitaksial prosess med uavhengige immaterielle rettigheter, og har masseproduksjonskapasiteten til innenlandsk 8-tommers silisiumkarbid epitaksiale wafere. De 8-tommers epitaksiale silisiumkarbidplatene produsert av Hantian Tiancheng presterer godt når det gjelder tekniske indikatorer, og 2mm*2mm dyseutbytte når mer enn 98%.