美光计划2026年推出高性能HBM4内存模块

美光公司宣布，计划在2026年推出其高性能HBM4内存模块。这款新型内存模块将堆叠多达16个DRAM芯片，每个芯片的容量为32GB，并采用2048位宽接口，旨在提供卓越的性能和能效。美光表示，凭借其在成熟的1β（第五代10nm技术）工艺技术方面的坚实基础和持续投资，HBM4将在上市时间和能效方面保持领先地位，性能比HBM3E提升50%以上。这一创新有望推动汽车电子行业的发展，满足日益增长的数据处理需求。