Das Hangzhou International Science and Technology Innovation Center der Zhejiang University hat erfolgreich einen 100 mm dicken 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall gezüchtet

Das Advanced Semiconductor Research Institute und das Dry Crystal Semiconductor Joint Laboratory der Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center nutzten die Pull-Type Physical Vapour Transport (PPVT)-Methode, um erfolgreich einen 6-Zoll-Siliziumkarbid-Einkristall mit einer Dicke von mehr als 100 mm zu züchten. Dieser Erfolg wird dazu beitragen, die Kosten für Siliziumkarbid-Substrate zu senken.