Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center kweekte met succes een 100 mm dik 6-inch siliciumcarbide monokristal

Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center Advanced Semiconductor Research Institute-Dry Crystal Semiconductor Joint Laboratory gebruikte de pull-type Physical Vapour Transport (PPVT) -methode om met succes een 6-inch siliciumcarbide-monokristal te laten groeien met een dikte van meer dan 100 mm. Deze prestatie zal helpen de kosten van siliciumcarbidesubstraten te verlagen.