Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center dyrket en 100 mm tykk 6-tommers enkeltkrystall av silisiumkarbid

Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center Advanced Semiconductor Research Institute-Dry Crystal Semiconductor Joint Laboratory brukte metoden for fysisk damptransport (PPVT) for å lykkes med å dyrke en 6-tommers enkeltkrystall av silisiumkarbid med en tykkelse på over 100 mm. Denne prestasjonen vil bidra til å redusere kostnadene for silisiumkarbidsubstrater.