Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center je uspešno vzgojil 100 mm debel 6-palčni monokristal iz silicijevega karbida

Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center Advanced Semiconductor Research Institute-Dry Crystal Semiconductor Joint Laboratory je uporabil metodo fizičnega prenosa hlapov (PPVT) za uspešno gojenje 6-palčnega monokristala iz silicijevega karbida z debelino, ki presega 100 mm. Ta dosežek bo pomagal zmanjšati stroške substratov iz silicijevega karbida.