ມະຫາວິທະຍາໄລ Zhejiang Hangzhou ສູນນະວັດຕະ ກຳ ວິທະຍາສາດແລະເຕັກໂນໂລຢີສາກົນ ສຳ ເລັດຜົນ ສຳ ເລັດການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຊິລິໂຄນຄາໄບ 6 ນິ້ວທີ່ມີຄວາມຫນາ 100 ມມ.

Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center Advanced Semiconductor Research Institute-Dry Crystal Semiconductor Joint Laboratory ໄດ້ນໍາໃຊ້ວິທີການຂົນສົ່ງ vapor ທາງດ້ານຮ່າງກາຍແບບດຶງ (PPVT) ເພື່ອສົບຜົນສໍາເລັດການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊິລິໂຄນ carbide 6-inch single crystal ທີ່ມີຄວາມຫນາເກີນ 100 ມມ. ຜົນສໍາເລັດນີ້ຈະຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງ substrates silicon carbide.