ჟეჟიანგის უნივერსიტეტის ჰანჯოუს საერთაშორისო სამეცნიერო და ტექნოლოგიების ინოვაციური ცენტრი წარმატებით გაიზარდა 100 მმ სისქის 6 დიუმიანი სილიკონის კარბიდის ერთკრისტალი

Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center Advanced Semiconductor Research Institute-Dry Crystal Semiconductor Joint Laboratory გამოიყენა pull-type ფიზიკური ორთქლის ტრანსპორტირების მეთოდი, რათა წარმატებით გაეზარდა 6 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის ერთკრისტალი, რომლის სისქე აღემატება 100 მმ. ეს მიღწევა ხელს შეუწყობს სილიციუმის კარბიდის სუბსტრატების ღირებულების შემცირებას.