Кампанія Beiyi Semiconductor паспяхова вырабіла выпрабавальныя двухбаковыя модулі рассейвання цяпла і мае магчымасці для масавай вытворчасці модуляў IGBT на ўзроўні 750 В і модуляў на ўзроўні 1200 В на SiC.

У лістападзе 2023 года двухбаковы модуль астуджэння (DSC) кампаніі Beiyi Semiconductor быў паспяхова выраблены ў выпрабавальных умовах. Пасля бесперапыннай аптымізацыі працэсаў і прэс-формаў, а таксама ацэнкі надзейнасці ў сакавіку гэтага года кампанія Beiyi Semiconductor дасягнула магчымасці масавай вытворчасці модуляў IGBT з напругай 750 В і модуляў з карбіда карбіда карбону (SiC) з узроўнем 1200 В, і ўраджайнасць яе ўпакоўкі перавысіла галіновы ўзровень.