Beiyi Semiconductor telah berjaya menghasilkan modul pelesapan haba dua sisi dengan jayanya, dan mempunyai keupayaan pengeluaran besar-besaran untuk modul IGBT peringkat 750V dan modul SiC peringkat 1200V.
Semikonduktor Beiyi
Teknologi Pengacuan
1200V
IGBT
nila
Semi
hasil
pengoptimuman
kebolehpercayaan
hasil
proses
acuan
tahun
hasil
SiC
2023
Mac
industri
2024-12-24 19:23
50
Pada November 2023, modul penyejukan dua sisi (DSC) Beiyi Semiconductor telah berjaya dihasilkan secara percubaan. Selepas pengoptimuman berterusan proses dan acuan serta penilaian kebolehpercayaan, pada bulan Mac tahun ini, modul IGBT peringkat 750V Semikonduktor Beiyi dan modul SiC peringkat 1200V menjadi mampu untuk pengeluaran besar-besaran, dan hasil pembungkusan melebihi tahap industri.
