ON Semiconductor erweitert Siliziumkarbid-Werke in New Hampshire und der Tschechischen Republik

ON Semiconductor hat in Hudson, New Hampshire, eine neue Siliziumkarbid-Anlage gebaut und damit die Produktionskapazität für SiC-Ingots im Vergleich zum Vorjahr verfünffacht. Darüber hinaus hat ON Semiconductor seine Siliziumkarbid-Fabrik im tschechischen Roznov erweitert, wodurch die Produktionskapazität von SiC-Substraten und Epitaxie-Wafern in den nächsten zwei Jahren um das 16-fache erhöht wird.