STMicroelectronics und Soitec arbeiten bei der Entwicklung der Siliziumkarbid-Substrattechnologie zusammen

STMicroelectronics hat sich mit Soitec zusammengetan, um eine Technologie zur Herstellung von Siliziumkarbidsubstraten zu entwickeln. Das Ziel der Zusammenarbeit zwischen den beiden Parteien besteht darin, die SmartSiC™-Technologie von Soitec zur Herstellung zukünftiger 8-Zoll-Siliziumkarbidsubstrate zu nutzen, um das Siliziumkarbid-Geräte- und Modulherstellungsgeschäft von STMicroelectronics voranzutreiben.