STMicroelectronics a Soitec kollaboréieren fir Siliziumkarbid Substrattechnologie z'entwéckelen
Hechuang Auto
Si
Mo
Si
SmartSiC
Soitec
STMicroelectronics
Zoll
Fabrikatioun
Apparat
Technologie
Substrat
Substrat
Silicon Carbide
SiC
entwéckelen
Smart
2024-12-24 19:32
0
STMicroelectronics huet sech mat Soitec zesummegeschafft fir Siliziumkarbid Substrat Fabrikatiounstechnologie z'entwéckelen. D'Zil vun der Zesummenaarbecht tëscht den zwou Parteien ass d'Soitec's SmartSiC ™ Technologie ze benotzen fir zukünfteg 8-Zoll Siliciumcarbid Substrate ze fabrizéieren fir STMicroelectronics 'Silicon Carbide Apparat a Modul Fabrikatiounsgeschäft ze promoten.
