STMicroelectronics и Soitec си сътрудничат за разработване на технология за субстрат от силициев карбид

STMicroelectronics си партнира със Soitec за разработване на технология за производство на субстрат от силициев карбид. Целта на сътрудничеството между двете страни е да се използва SmartSiC™ технологията на Soitec за производство на бъдещи 8-инчови силициево-карбидни субстрати за насърчаване на бизнеса на STMicroelectronics за производство на силициево-карбидни устройства и модули.