STMicroelectronics ir Soitec bendradarbiauja kurdamos silicio karbido substrato technologiją

„STMicroelectronics“ bendradarbiauja su „Soitec“, kad sukurtų silicio karbido substrato gamybos technologiją. Abiejų šalių bendradarbiavimo tikslas – panaudoti Soitec SmartSiC™ technologiją būsimiems 8 colių silicio karbido substratams gaminti, siekiant skatinti STMicroelectronics silicio karbido įrenginių ir modulių gamybos verslą.