STMicroelectronics ແລະ Soitec ຮ່ວມມືກັນພັດທະນາເທກໂນໂລຍີຊັ້ນໃຕ້ດິນ silicon carbide

STMicroelectronics ໄດ້ຮ່ວມມືກັບ Soitec ເພື່ອພັດທະນາເທກໂນໂລຍີການຜະລິດ substrate silicon carbide. ເປົ້າໝາຍຂອງການຮ່ວມມືລະຫວ່າງສອງຝ່າຍແມ່ນການນຳໃຊ້ເທັກໂນໂລຍີ SmartSiC™ ຂອງ Soitec ເພື່ອຜະລິດແຜ່ນຍ່ອຍຊິລິຄອນຄາໄບ ຂະໜາດ 8 ນິ້ວໃນອະນາຄົດ ເພື່ອສົ່ງເສີມອຸປະກອນ ແລະ ການຜະລິດຊິລິຄອນຄາໄບຂອງໂມດູນຂອງ STMicroelectronics.