STMicroelectronics و Soitec برای توسعه فناوری بستر کاربید سیلیکون با یکدیگر همکاری می کنند

2024-12-24 19:33
 0
STMicroelectronics با Soitec برای توسعه فناوری ساخت بستر کاربید سیلیکون شریک شده است. هدف از همکاری بین دو طرف استفاده از فناوری SmartSiC ™ Soitec برای تولید زیرلایه‌های کاربید سیلیکون 8 اینچی در آینده برای ارتقای تجارت تولید دستگاه کاربید سیلیکون STMicroelectronics و تولید ماژول است.