Xineng Semiconductor ожидает, что годовой объем производства достигнет 4,8 миллионов модулей IGBT и 600 000 модулей SiC MOS.

Ожидается, что после завершения строительства всех производственных линий, запланированных Core Energy Semiconductor, годовой объем производства составит 4,8 миллиона модулей IGBT и 600 000 модулей SiC MOS, а годовой доход составит около 1,5 миллиарда юаней.