Xineng Semiconductor очікує, що річний обсяг виробництва досягне 4,8 мільйона модулів IGBT і 600 000 модулів SiC MOS.

Після завершення всіх виробничих ліній, запланованих компанією Core Energy Semiconductor, очікується, що річний обсяг виробництва складе 4,8 мільйона модулів IGBT і 600 000 модулів SiC MOS з річним доходом приблизно 1,5 мільярда юанів.