桑迪亞國家實驗室展示1.2kV車規級垂直GaN MOSFET

美國能源部（DOE）透露，桑迪亞國家實驗室在車規級垂直氮化鎵裝置上取得重大突破，他們展示了1200V GaN MOSFET，這是首次整合二氧化鉿（HfO2）柵極介質的裝置。桑迪亞國家實驗室的製程成功實現了創紀錄的低閘極洩漏，並展示了其GaN MOSFET在導通電流密度上比現有最先進GaN和SiC設備高出一個數量級。