Sandia National Laboratories présente un MOSFET GaN vertical de 1,2 kV de qualité automobile

Le département américain de l'Énergie (DOE) a révélé que les laboratoires nationaux Sandia ont réalisé une percée majeure dans le domaine des dispositifs verticaux au nitrure de gallium de qualité automobile. Ils ont présenté un MOSFET GaN 1 200 V, qui est le premier dispositif à intégrer un diélectrique de grille en dioxyde de hafnium (HfO2). Le processus de Sandia National Laboratories a réussi à atteindre un niveau de fuite de grille record et a démontré que ses MOSFET GaN peuvent conduire des densités de courant d'un ordre de grandeur supérieures à celles des dispositifs GaN et SiC de pointe existants.