Sandia National Laboratories demonstreert 1,2 kV verticale GaN-MOSFET van automobielkwaliteit

Het Amerikaanse ministerie van Energie (DOE) onthulde dat Sandia National Laboratories een grote doorbraak heeft bereikt op het gebied van verticale galliumnitride-apparaten van automobielkwaliteit. Ze demonstreerden een 1200V GaN MOSFET, het eerste apparaat dat een diëlektricum met hafniumdioxide (HfO2) integreert. Het proces van Sandia National Laboratories heeft met succes een record-lage poortlekkage bereikt en aangetoond dat de GaN MOSFET's stroomdichtheden kunnen geleiden die een orde van grootte hoger zijn dan bestaande, geavanceerde GaN- en SiC-apparaten.