Sandia National Laboratories sýnir 1,2kV lóðréttan GaN MOSFET fyrir bíla

Bandaríska orkumálaráðuneytið (DOE) leiddi í ljós að Sandia National Laboratories hefur slegið í gegn í lóðréttum gallíumnítríðtækjum í bílaflokki. Ferli Sandia National Laboratories náði metlágum hliðaleka með góðum árangri og sýndi fram á að GaN MOSFETs þess geta leitt straumþéttleika sem er stærðargráðu hærri en núverandi GaN og SiC tæki.