Sandia National Laboratories demuestra un MOSFET GaN vertical de grado automotriz de 1,2 kV

El Departamento de Energía de EE. UU. (DOE) reveló que Sandia National Laboratories ha logrado un gran avance en dispositivos verticales de nitruro de galio de grado automotriz. Demostraron un MOSFET GaN de 1200 V, que es el primer dispositivo que integra un dieléctrico de puerta de dióxido de hafnio (HfO2). El proceso de Sandia National Laboratories logró con éxito una fuga de puerta récord y demostró que sus MOSFET de GaN pueden conducir densidades de corriente de un orden de magnitud mayor que los dispositivos GaN y SiC de última generación existentes.