Sandia National Laboratories Demonstréiert 1.2kV Automotive Grad Vertikal GaN MOSFET
Galliumnitrid
Si
DO
MOSFET
Pro
Si
Gate
Prozess
Apparat
Prozess
Dicht
Rekord
Labo
Apparater
Prozess
Uerdnung
rad
SiC
2024-12-24 19:45
0
Den US Department of Energy (DOE) huet verroden datt Sandia National Laboratories e groussen Duerchbroch an Automotive-grade vertikale Galliumnitrid-Geräter gemaach hunn. Sandia National Laboratories 'Prozess huet erfollegräich Rekord-niddereg Gate Leckage erreecht a bewisen, datt seng GaN MOSFETs op aktuell Dicht eng Uerdnung vun Magnitude méi héich wéi bestehend Staat-vun-der-Konscht GaN a SiC Apparater féieren kann.
