Sandia National Laboratories သည် 1.2kV မော်တော်ကားအဆင့် Vertical GaN MOSFET ကို သရုပ်ပြသည်

Sandia National Laboratories သည် မော်တော်ယာဥ်အဆင့်ရှိ ဒေါင်လိုက်ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်ကိရိယာများတွင် အဓိက အောင်မြင်မှုတစ်ခုကို ပြုလုပ်ခဲ့ပြီး ၎င်းတို့သည် 1200V GaN MOSFET ဖြစ်သည့် ဟက်ဖ်နီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် (HfO2) ဂိတ်ပေါက်ကို ပထမဆုံးသော ကိရိယာအဖြစ် သရုပ်ပြခဲ့သည်။ Sandia National Laboratories ၏ လုပ်ငန်းစဉ်သည် စံချိန်တင်နိမ့်သော တံခါးပေါက်ယိုစိမ့်မှုကို အောင်မြင်စွာရရှိပြီး ၎င်း၏ GaN MOSFET များသည် လက်ရှိခေတ်ပေါ်သိပ်သည်းဆများကို လက်ရှိခေတ်ပေါ် GaN နှင့် SiC စက်ပစ္စည်းများထက် ပြင်းအားပိုမိုမြင့်မားစွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ကြောင်း သရုပ်ပြခဲ့သည်။