Sandia National Laboratories Menunjukkan 1.2kV Automotif Gred Menegak GaN MOSFET

Jabatan Tenaga A.S. (JAS) mendedahkan bahawa Sandia National Laboratories telah membuat penemuan besar dalam peranti gallium nitrida menegak gred automotif Mereka menunjukkan MOSFET GaN 1200V, yang merupakan peranti pertama yang menyepadukan dielektrik get hafnium dioksida (HfO2). Proses Sandia National Laboratories berjaya mencapai rekod kebocoran pintu yang rendah dan menunjukkan bahawa MOSFET GaNnya boleh menjalankan ketumpatan semasa dalam susunan magnitud yang lebih tinggi daripada peranti GaN dan SiC terkini yang sedia ada.