Nagpapakita ang Sandia National Laboratories ng 1.2kV Automotive Grade Vertical GaN MOSFET

Inihayag ng U.S. Department of Energy (DOE) na ang Sandia National Laboratories ay gumawa ng malaking tagumpay sa mga automotive-grade vertical gallium nitride device Nagpakita sila ng 1200V GaN MOSFET, na siyang unang device na nagsama ng hafnium dioxide (HfO2) gate dielectric. Matagumpay na nakamit ng proseso ng Sandia National Laboratories ang record-low gate leakage at ipinakita na ang mga GaN MOSFET nito ay maaaring magsagawa ng on-current density ng isang order ng magnitude na mas mataas kaysa sa kasalukuyang mga makabagong GaN at SiC device.