مختبرات سانديا الوطنية تعرض وحدات MOSFET GaN MOSFET العمودية بقدرة 1.2 كيلو فولت للسيارات

كشفت وزارة الطاقة الأمريكية (DOE) أن مختبرات سانديا الوطنية قد حققت تقدمًا كبيرًا في أجهزة نيتريد الغاليوم العمودية المخصصة للسيارات، حيث أظهرت 1200 فولت GaN MOSFET، وهو أول جهاز يدمج عازل بوابة ثاني أكسيد الهافنيوم (HfO2). نجحت عملية مختبرات سانديا الوطنية في تحقيق تسرب قياسي منخفض للبوابة، وأظهرت أن وحدات GaN MOSFET الخاصة بها يمكنها إجراء كثافات تيار أعلى من أجهزة GaN وSiC الحديثة.