המעבדות הלאומיות של Sandia מדגימות 1.2kV רכב מסוג GaN MOSFET אנכי

משרד האנרגיה האמריקני (DOE) חשף כי Sandia National Laboratories עשו פריצת דרך גדולה בהתקני גליום ניטריד אנכיים בדרגת רכב הם הדגימו 1200V GaN MOSFET, שהוא המכשיר הראשון המשלב דיאלקטרי שער הפניום דו חמצני (HfO2). התהליך של Sandia National Laboratories השיג בהצלחה דליפת שערים נמוכה והוכיח שמכשירי ה-GAN MOSFET שלה יכולים להוביל צפיפות זרם בסדר גודל גבוה יותר מהתקני GaN ו-SiC המתקדמים הקיימים.