Laboratorios Nacionales Sandia Ohechauka MOSFET GaN Vertical Grado Automotriz 1,2kV

Departamento de Energía (DOE) Estados Unidos-gua oikuaauka Laboratorios Nacionales Sandia ojapo tuicha avance umi dispositivo nitruro de galio vertical grado automotriz Ohechauka hikuái MOSFET GaN 1200V, ha'éva peteîha dispositivo ointegráva compuerta dióxido de hafnio (HfO2). Proceso Laboratorios Nacionales Sandia ohupyty porã fuga compuerta récord baja ha ohechauka umi MOSFET GaN orekóva ikatúha omotenonde densidad en corriente peteî orden de magnitud yvate umi dispositivo GaN ha SiC estado de la técnica oîvagui.