提高逆變器級開關頻率所帶來的優勢

當逆變器級的開關頻率提高到16kHz時，SiC的優勢更加明顯。與100A IGBT相比，效率提高了2.2%，同時在整個功率範圍內仍能滿足150℃結溫要求。