Ventajas de aumentar la frecuencia de conmutación de la etapa inversora.

Cuando la frecuencia de conmutación de la etapa del inversor aumenta a 16 kHz, las ventajas del SiC se vuelven más obvias. En comparación con el IGBT de 100 A, la eficiencia mejora en un 2,2 % y al mismo tiempo cumple con el requisito de temperatura de unión de 150 ℃ en todo el rango de potencia.