အင်ဗာတာအဆင့်၏ switching frequency ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း၏အားသာချက်များ

အင်ဗာတာအဆင့်၏ ကူးပြောင်းမှုအကြိမ်ရေသည် 16kHz သို့ တိုးလာသောအခါ SiC ၏ အားသာချက်များသည် ပို၍ထင်ရှားလာသည်။ 100A IGBT နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပါဝါအကွာအဝေးတစ်ခုလုံးရှိ 150 ℃ လမ်းဆုံအပူချိန် လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီနေသော်လည်း ထိရောက်မှု 2.2% တိုးတက်လာပါသည်။