مزايا زيادة تردد التبديل لمرحلة العاكس

عندما يتم زيادة تردد التبديل لمرحلة العاكس إلى 16 كيلو هرتز، تصبح مزايا SiC أكثر وضوحًا. بالمقارنة مع 100A IGBT، تم تحسين الكفاءة بنسبة 2.2%، في حين لا تزال تلبي متطلبات درجة حرارة الوصلة 150 درجة مئوية في نطاق الطاقة بأكمله.