ინვერტორული ეტაპის გადართვის სიხშირის გაზრდის უპირატესობები

როდესაც ინვერტორული ეტაპის გადართვის სიხშირე იზრდება 16 kHz-მდე, SiC-ის უპირატესობები უფრო აშკარა ხდება. 100A IGBT-თან შედარებით, ეფექტურობა გაუმჯობესებულია 2.2%-ით, მაგრამ მაინც აკმაყოფილებს 150℃ შეერთების ტემპერატურის მოთხოვნას მთელი სიმძლავრის დიაპაზონში.