Baishi Electronics plant den Bau einer Produktionslinie der zweiten Phase im Jangtse-Delta mit einer geplanten Produktionskapazität von 280.000 Stück/Jahr.

Baishi Electronics plant in naher Zukunft den Bau einer Produktionslinie der zweiten Phase in der Region des Jangtse-Deltas. Die Produktionskapazität wird voraussichtlich 280.000 Teile pro Jahr erreichen. Damit wird es die landesweit führende Produktionsanlage für Halbleiter-Epitaxiewafer der dritten Generation in Automobilqualität sein.